為滿足培養面向半導體照明上遊產業外延、芯片
研發和工程應用型人纔的需要，本書以LED外延和芯
片技術為重點，結合LED外延結構設計方法，貼近LED
芯片結構的的制造工藝技術，給出了完整的LED從外
延生長、芯片制備和封裝技術的知識體繫。
郭偉玲、發光二極管編寫的《LED器件與工藝技
術》包括三個部分。第一部分是外延技術，包括LED
材料外延生長技術原理和設備、半導體材料檢測技術
、藍綠光LED外延結構設計與制備、黃紅光LED外延結
構設計與制備。第二部分是芯片技術，包括LED芯片
結構及制備工藝、藍綠光LED芯片高光提取技術、紅
黃光LED芯片結構設計與制備工藝，從LED芯片制備基
本工藝技術到整體工藝流程，以及先進的高光效結構
設計，涵蓋了GaN和AIGalnP兩個材料繫的芯片結構特
性及制備過程，介紹了高壓LED結構及制備技術。第
三部分是LED封裝技術，從封裝的目的、光學設計和
熱學設計方面對封裝技術進行了介紹。
本書題材新穎，論述深入淺出，注重理論與實踐
相結合，可作為本科院校相關專業本科高年級學生和
研究生的教材和參考書，也可作為外延和芯片企業工
藝操人員的培訓參考資料，也可供有關工程技術人員
參考。

第1章 LED材料外延與檢測技術
1.1 LED外延基礎知識
1.1.1 LED的外延結構
1.1.2 LED的外延生長基本知識
1.2 MOCVD技術基本背景
1.2.1 MOCVD技術的背景知識
1.2.2 MOCVD外延生長中的基本機制和原理
1.3 MOCVD設備簡介
1.3.1 原材料氣源供應繫統
1.3.2 MOCVD反應室分繫統
1.3.3 MOCVD設備的其他功能子繫統
1.4 MOCVD源材料
1.4.1 金屬有機化合物源(MO源)
1.4.2 氣體源(氫化物、載氣)
1.4.3 襯底
1.5 氮化物LED材料的檢測技術
1.5.1 高分辨x射線檢測技術
1.5.2 光致發光測試技術
1.5.3 霍爾測試技術
1.5.4 電容電壓測試技術
1.5.5 AFM和TEM檢測技術
參考文獻
第2章 藍綠光LED外延結構設計與制備
2.1 氮化物半導體材料的性質
2.1.1 氮化物材料的基本性質
2.1.2 氮化物材料中的極化電場
2.2 氮化物LED的能帶結構
2.2.1 pn結的能帶結構
2.2.2 量子阱能帶結構
2.3 氮化物LED多量子阱的設計及生長
2.3.1 極化電場對量子阱能帶的影響
2.3.2 量子壘設計及其對載流子輸運的影響
2.3.3 量子阱設計及其對載流子分布的影響
2.3.4 多量子阱界面的優化生長
2.4 氮化物LED電子阻擋層及p型層的設計
2.4.1 電子阻擋層的電子限制作用
2.4.2 電子阻擋層對空穴注入的影響
2.4.3 p—GaN層的優化生長
參考文獻
第3章 紅黃光LED外延生長技術
3.1 紅光LED材料及LED基本結構
3.1.1 LED外延材料選取的原則
3.1.2 紅光LED外延材料一一A1GalnP的性質
3.1.3 紅光LED基本外延結構
3.2 紅光LED的材料外延
3.2.1 紅光LED材料外延的工藝設計
3.2.2 有源區材料的外延
3.2.3 限制層材料的外延
3.2.4 窗口層材料的外延
3.3 共振腔LED結構與外延
3.3.1 共振腔LED結構及設計
3.3.2 650nm共振腔LED外延
3.3.3 650nm共振腔LED芯片工藝
參考文獻
第4章 LED芯片結構及制備工藝
4.1 芯片制造基礎工藝
4.1.1 蒸鍍工藝
4.1.2 光刻工藝
4.1.3 刻蝕工藝
4.1.4 沉積工藝
4.1.5 退火工藝
4.1.6 研磨拋光工藝
4.1.7 點測工藝
4.1.8 檢驗工藝
4.2 藍綠光LED芯片結構及制備工藝
4.2.1 正裝結構設計及制備工藝
4.2.2 倒裝結構芯片及制備工藝
4.3 垂直結構設計及制備工藝
4.3.1 垂直結構芯片的優勢
4.3.2 垂直結構芯片的制備工藝
4.4 高壓LED芯片設計及制備工藝
4.4.1 高壓LED芯片的優點
4.4.2 GaN基高壓LED結構設計
4.4.3 GaN基高壓LED制備工藝
參考文獻
第5章 藍綠光LED高光提取技術
5.1 電流阻擋層(CurrentBlockingLayer，CBI)
5.2 隱形切割(StealthDicing，SD)
5.3 粗化(Rough)
5.4 反射電極(ReflectedPad)
5.5 側腐蝕(SidewallEtching，SWE)
5.6 表面紋理化(SurfaceTexture)
5.6.1 在L=ED外延層上直接引入紋理化圖形..
5.6.2 在透明導電層上引入紋理化圖形
5.6.3 在傳統透明導電層上引入其他透明導電層
5.7 分布布拉格反射鏡(Distt.ibutionBlagg：Reflector)
5.8 圖形藍寶石襯底(PattemSapphireSubstrate，PSS)
參考文獻
第6章 黃紅光LED芯片結構與制備工藝
6.1 紅、黃色LED基本結構和制備工藝流程
6.1.1 正裝A1GalnPLED芯片結構及制備工藝
6.1.2 倒裝芯片結構及工藝流程
6.2 紅、黃光LED電極結構及電流擴展技術
6.2.1 芯片電極形狀變化
6.2.2 電流擴展層技術及透明電極
6.2.3 電流阻擋層
6.3 GaAs基LED高光提取技術
6.3.1 透明光學窗口層技術
6.3.2 倒梯形等外形結構
6.3.3 表面粗化
6.3.4 光子晶體LED
6.4 轉移襯底器件的反射鏡
6.4.1 金屬反射鏡結構
6.4.2 全方向反射鏡結構(ODR)
6.5 高亮度和大功率AIGalnPLED技術
參考文獻
第7章 LED封裝基礎知識
7.1 LED器件封裝的主要功能
7.1.1 光電器件封裝的機電連接與保護特性
7.1.2 發光器件的光譜轉換與實現
7.2 LED器件封裝的光學設計
7.2.1 LED器件的光提取效率
7.2.2 LED封裝後的光學特性
7.2.3 熒光粉光學特性的計算與分析
7.3 LED器件封裝的熱學設計
7.3.1 LED的熱特性
7.3.2 LED封裝的熱阻模型
7.3.3 熱場分布的計算機輔助分析
參考文獻