章曉文、恩雲飛編著的《半導體集成電路的可靠
性及評價方法》共11章，以硅集成電路為中心，重點
介紹了半導體集成電路及其可靠性的發展演變過程、
集成電路制造的基本工藝、半導體集成電路的主要失
效機理、可靠性數學、可靠性測試結構的設計、MOS
場效應管的特性、失效機理的可靠性仿真和評價。隨
著集成電路設計規模越來越大，設計可靠性越來越重
要，在設計階段借助可靠性仿真技術，評價設計出的
集成電路可靠性能力，針對電路設計中的可靠性薄弱
環節，通過設計加固，可以有效提高產品的可靠性水
平，提高產品的競爭力。
本書適用於集成電路設計和生產的技術人員參考
，也可供高校微電子專業的本科生和研究生參考，還
可作為培訓教材使用。

第1章 緒論
1.1 半導體集成電路的發展過程
1.2 半導體集成電路的分類
1.2.1 按半導體集成電路規模分類
1.2.2 按電路功能分類
1.2.3 按有源器件的類型分類
1.2.4 按應用性質分類
1.3 半導體集成電路的發展特點
1.3.1 集成度不斷提高
1.3.2 器件的特征尺寸不斷縮小
1.3.3 專業化分工發展成熟
1.3.4 繫統集成芯片的發展
1.3.5 半導體集成電路帶動其他學科的發展
1.4 半導體集成電路可靠性評估體繫
1.4.1 工藝可靠性評估
1.4.2 集成電路的主要失效模式
1.4.3 集成電路的主要失效機理
1.4.4 集成電路可靠性面臨的挑戰
參考文獻
第2章 半導體集成電路的基本工藝
2.1 氧化工藝
2.1.1 SiO2的性質
2.1.2 SiO2的作用
2.1.3 SiO2膜的制備
2.1.4 SiO2膜的檢測
2.1.5 SiO2膜的主要缺陷
2.2 化學氣相沉積法制備薄膜
2.2.1 化學氣相沉積概述
2.2.2 化學氣相沉積的主要反應類型
2.2.3 CVD制備薄膜
2.2.4 CVD摻雜
2.3 擴散摻雜工藝
2.3.1 擴散形式
2.3.2 常用雜質的擴散方法
2.3.3 擴散分布的分析
2.4 離子注入工藝
2.4.1 離子注入技術概述
2.4.2 離子注入的濃度分布與退火
2.5 光刻工藝
2.5.1 光刻工藝流程
2.5.2 光刻膠的曝光
2.5.3 光刻膠的曝光方式
2.5.4 32nm和22nm的光刻
2.5.5 光刻工藝產生的微缺陷
2.6 金屬化工藝
2.6.1 金屬化概述
2.6.2 金屬膜的沉積方法
2.6.3 金屬化工藝
2.6.4 Al/Si接觸及其改進
2.6.5 阻擋層金屬
2.6.6 Al膜的電遷移
2.6.7 金屬硅化物
2.6.8 金屬鎢
2.6.9 銅互連工藝
參考文獻
第3章 缺陷的來源和控制
3.1 缺陷的基本概念
3.1.1 缺陷的分類
3.1.2 前端和後端引入的缺陷
3.2 引起缺陷的污染物
3.2.1 顆粒污染物
3.2.2 金屬離子
3.2.3 有機物沾污
……
第4章 半導體集成電路制造工藝
第5章 半導體集成電路的主要失效機理
第6章 可靠性數據的統計分析基礎
第7章 半導體集成電路的可靠性評價
第8章 可靠性測試結構的設計
第9章 MOS場效應晶體管的特性
**0章 集成電路的可靠性仿真
**1章 集成電路工藝失效機理的可靠性評價
主要符號表
英文縮略詞及術語