Ⅲ-Ⅴ氮化物屬於第三代半導體，具有獨特的性
能及應用領域，現在得以廣泛應用的藍光LED就是以
氮化鎵為基材制備出來的。曹傳寶著的《Ⅲ-Ⅴ氮化
物納米材料的制備及性能研究(材料研究與應用著
作)(精)》內容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料的研究，
包括零維量子點的制備及性能，一維納米材料的制備
及性能，納米陣列的制備及性能，以及對於Ⅲ-Ⅴ氮
化物的理論模擬研究等。
本書對於從事Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料研究的學者
具有一定的參考作用。

第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半導體材料簡介
1.1 GaN、AIN和InN的結構與性能
1.2 一維Ⅲ-Ⅴ氮化物半導體納米材料研究現狀
1.3 本章小結
參考文獻
第2章 氣相反應制備GaN納米線的催化效應
2.1 引言
2.2 金屬催化的化學氣相沉積制備GaN納米線
2.3 催化劑前驅體濃度與GaN納米線生長的關繫
2.4 以金膜作為催化劑前驅體生長GaN納米線
2.5 本章小結
參考文獻
第3章 GaN納米帶和納米帶環的生長與形成機理
3.1 引言
3.2 GaN納米帶與納米帶環結構的生長
3.3 納米帶的形成機理
3.4 納米帶環的形成機理
3.5 生長條件對*終產物形貌的影響
3.6 不同納米結構所受內應力對比
3.7 本章小結
參考文獻
第4章 碳熱輔助法控制生長GaN低維結構
4.1 引言
4.2 利用碳熱還原路線大量制備GaN納米線
4.3 反應溫度對納米線生長取向的影響
4.4 碳含量對納米線生長的影響
4.5 GaN微稜錐的生長與表征
4.6 反應條件對產物結構的影響
4.7 GaN稜錐的大量控制制備與表征
4.8 本章小結
參考文獻
第5章 定向排列的孿晶GaN納米線的制備與表征
5.1 引言
5.2 實驗部分
5.3 結果與討論
5.4 本章小結
參考文獻
第6章 GaN納米柱陣列的制備及表征
6.1 引言
6.2 實驗部分
6.3 結果與討論
6.4 本章小結
參考文獻
第7章 Fe、Co摻雜GaN納米線的制備及性能研究
7.1 引言
7.2 實驗部分
7.3 Fe摻雜GaN納米線的結果分析
7.4 Co摻雜GaN納米線的結果分析
7.5 本章小結
參考文獻
第8章 GaN及其稀磁半導體納米晶的制備與性能研究
8.1 引言
8.2 實驗部分
8.3 GaN納米晶的結果分析
8.4 GaN：Mn納米晶的結果分析
8.5 其他GaN：TM納米晶的結果分析
8.6 本章小結
參考文獻
第9章 GaN納米晶體及其復合材料的制備及性能
9.1 溶膠凝膠方法制備GaN納米晶
9.2 GaN量子點／PMMA復合材料的制備與光學性質
9.3 GaN量子點／二氧化硅干凝膠復合材料的制備及表征
9.4 本章小結
參考文獻
**0章 GaN的理論模擬研究
10.1 立方GaN的結構、彈性常數及振動性能的模擬計算
10.2 六方GaN的電學、力學、光學性能的理論計算
10.3 Co摻雜的立方GaN的電、磁、光性能模擬
10.4 本章小結
參考文獻
**1章 AIN納米結構的可控制備與表征
11.1 引言
11.2 實驗部分
11.3 結果與討論
11.4 本章小結
參考文獻
**2章 單晶InN納米線的制備及表征
12.1 引言
12.2 實驗部分
12.3 結果與討論
12.4 本章小結
參考文獻
**3章 InN及其稀磁半導體納米晶的制備與性能研究
13.1 引言
13.2 實驗部分
13.3 InN納米晶的結果分析
13.4 InN：Mn納米晶的結果分析
13.5 其他InN：TM納米晶的結果分析
13.6 本章小結
參考文獻
名詞索引