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非晶硅晶體硅異質結太陽電池(精)
該商品所屬分類:工業技術 -> 水利工程
【市場價】
886-1284
【優惠價】
554-803
【介質】 book
【ISBN】9787122159359
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內容介紹



  • 出版社:化學工業
  • ISBN:9787122159359
  • 作者:(德)沃爾夫岡·瑞納·法赫納
  • 頁數:111
  • 出版日期:2014-06-01
  • 印刷日期:2014-06-01
  • 包裝:精裝
  • 開本:16開
  • 版次:1
  • 印次:1
  • 字數:133千字
  • 非晶硅/晶體硅異質結太陽電池(Amorphous
    Silicon/Crystalline Silicon Heterojuncion
    Solar Cells)是太陽電池中深具代表性的一類,具
    有開路電壓高、填充因子高、轉換效率高等優點,具
    有廣闊的技術進步空間和市場發展前景。
    沃爾夫岡·瑞納·法赫納主編的《非晶硅晶體硅
    異質結太陽電池(精)》介紹了非晶硅/晶體硅異質結
    太陽電池的基本結構和制備技術,討論了其市場潛力
    ,概述了非晶硅/晶體硅異質結太陽電池的發展歷史
    ,論述了其構成材料及能帶結構,分步詳解了其制備
    工藝,包括拋光、腐蝕、制絨、本征層、背電場、減
    反射層及金屬層沉積等;本書還對其結構的合理性進
    行了論證。非晶硅/晶體硅異質結太陽電池現階段的
    主要問題及挑戰有:基礎材料的選擇、n/p結構或者
    p/n結構的選擇,表面缺陷態、晶硅表面鈍化效果的
    優化、發射極和背電場層。對於測試分析技術,本書
    部分列舉了反射、透過、微波測試技術、光學及光電
    測試、橢偏儀、拉曼光譜、光/暗IV曲線、量子效率
    、光誘導電流等。本書還采用AFORS-HET軟件模擬分
    析太陽電池的性能並與實驗相比較驗證,並對非晶硅
    /晶體硅異質結太陽電池的衰減特性和耐輻射特性進
    行了測試。本書結尾列舉了當前實驗室研究所獲得的
    最優太陽電池效率和中國目前相關研究和產業現狀。
    本書可供從事新能源材料、太陽能光伏以及半導
    體材料等領域的科技工作者和企業工程師作為參考,
    也可作為大專院校相關專業師生的教學參考書。
  • Amorphous Silicon / Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells.
    1 Introduction
    1.1 Basic Structure
    1.2 History of a-Si:H/c-Si Device Development
    1.3 Economic Aspects
    2 Useful Material Parameters
    2.1 Useful Data of Monocrystalline Silicon
    2.2 Useful Data of Multicrystalline Silicon
    2.3 Useful Data of Microcrystalline Silicon
    2.4 Useful Data of Amorphous Silicon with Respect to Heterojunction Solar Cells
    3 Manufacturing
    3.1 Lapping and Polishing
    3.2 Texturing
    3.3 Cleaning
    3.4 PECVD of i-, n-, and p-Layers
    3.5 TCO
    3.6 Metallization and Screen Printing
    4 Concepts
    4.1 Conventional n a-Si:H/p c-Si Cell
    4.2 Bifacial a-Si:H/c-Si Heterojunction Solar Cell with Intrinsic Thin Layer, HIT Structure
    4.3 a-Si:H/c-Si Heterocontact Cell Without i-Layer
    4.4 Other Concepts for Improved Entrance Windows
    4.5 a-Si:H/c-Si Heterocontact Cell with Inverted Geometry
    4.6 Interdigitated HIT Cell
    5 Problems and Challenges
    5.1 Choice of the Base Material, Impact of the Doping, n/p Versus p/n
    5.2 Surface States
    5.3 Surface Passivation
    5.4 PECV-Deposited Emitter and Back Surface Field
    6 Measurement Techniques
    6.1 Absorption, Reflection, and Transmission
    6.2 Excess Charge Carrier Lifetime
    6.3 Electroluminescence
    6.4 a-Si Characterization
    6.5 Electronic Device Characterization
    7 Simulation
    7.1 AFORS-HET
    7.2 Comparison with Experiments
    8 Long-Term Stability and Degradation
    8.1 Long-Term Stability
    8.2 Radiation Hardness
    9 State of the Art
    10 Silicon-Based Heterojunction Solar Cells in China
    10.1 Introduction of the Active Groups in this Area in China.
    10.2 Experimental Studies
    10.3 Theoretical Simulation
    References
 
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