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抗輻射雙極器件加固導論(空間環境效應科學與技術著作)
該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
【市場價】
454-659
【優惠價】
284-412
【介質】 book
【ISBN】9787560364674
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內容介紹



  • 出版社:哈爾濱工業大學
  • ISBN:9787560364674
  • 作者:李興冀//楊劍群//劉超銘
  • 頁數:362
  • 出版日期:2019-01-01
  • 印刷日期:2019-01-01
  • 包裝:平裝
  • 開本:16開
  • 版次:1
  • 印次:1
  • 字數:508千字
  • 李興冀、楊劍群、劉超銘著的《抗輻射雙極器件
    加固導論(空間環境效應科學與技術著作)》從我國宇
    航用電子元器件實際需要出發,總結作者多年的研究
    成果,論述了雙極工藝器件輻射損傷效應的基本特征
    和微觀機制,提出了雙極工藝器件抗輻射加固原理與
    技術研究的基本思路,涉及半導體物理與器件基礎、
    空間帶電粒子輻射環境表征、雙極器件電離輻射損傷
    效應、雙極器件位移損傷效應、雙極器件電離/位移協
    同效應、雙極器件抗輻射加固相關問題及雙極器件輻
    射損傷效應評價方法等內容,可供從事宇航用電子元
    器件科研和生產的科技人員以及高等院校相關專業師
    生參考。
  • 第1章 半導體物理與器件基礎
    1.1 概述
    1.2 平衡半導體
    1.2.1 本征半導體
    1.2.2 非本征半導體
    1.3 載流子輸運現像
    1.3.1 載流子的漂移運動
    1.3.2 載流子的擴散運動
    1.4 非平衡載流子
    1.4.1 載流子的產生和復合
    1.4.2 過剩載流子的性質
    1.4.3 摻雜及過剩載流子小注入的約束條件
    1.4.4 準費米能級
    1.4.5 過剩載流子的壽命
    1.5 雙極晶體管基本原理
    1.5.1 概述
    1.5.2 偏置模式
    1.5.3 雙極晶體管電流
    1.5.4 電流分量
    1.5.5 電流增益
    1.5.6 異質結雙極晶體管
    1.6 雙極晶體管類型
    1.6.1 NPN型雙極晶體管
    1.6.2 PNP型雙極晶體管
    1.6.3 改進型雙極晶體管
    1.7 雙極晶體管電性能及缺陷分析測試方法
    1.7.1 電性能參數測試
    1.7.2 柵掃描分析方法
    1.7.3 亞閾值掃描分析方法
    1.7.4 深能級缺陷分析方法
    1.7.5 輻射缺陷退火試驗方法
    本章參考文獻
    第2章 空間帶電粒子輻射環境表征
    2.1 概述
    2.2 太陽活動對空間帶電粒子環境的影響
    2.3 地球輻射帶粒子環境
    2.3.1 地磁層結構特點
    2.3.2 地球輻射帶
    2.3.3 地球輻射帶質子模式及其選用
    2.3.4 地球輻射帶電子模式及其選用
    2.4 銀河宇宙線粒子環境
    2.4.1 銀河宇宙線一般特點
    2.4.2 常用的銀河宇宙線模式
    2.4.3 銀河宇宙線模式選用
    2.5 太陽宇宙線粒子環境
    2.5.1 太陽宇宙線一般特點
    2.5.2 常用的太陽宇宙線模式
    2.5.3 太陽宇宙線模式選用
    2.6 近地軌道帶電粒子能譜計算
    2.6.1 軌道能譜計算相關內容
    2.6.2 軌道能譜的計算流程
    2.6.3 典型軌道的輻射帶粒子能譜
    2.7 帶電粒子輻射損傷能力判據
    2.7.1 帶電粒子與物質交互作用基本特點
    2.7.2 帶電粒子輻射能量損失計算方法
    2.7.3 帶電粒子輻射吸收劑量計算方法
    2.7.4 器件單位注量輻射吸收劑量計算
    2.7.5 帶電粒子輻射損傷能力的判據
    本章參考文獻
    第3章 雙極器件電離輻射損傷效應
    3.1 概述
    3.2 雙極器件電離損傷效應基本特征
    3.2.1 輻照源選擇
    3.2.2 Gummel曲線變化規律
    3.2.3 電流增益變化規律
    3.3 雙極器件電離損傷缺陷表征
    3.3.1 電離輻射缺陷演化規律
    3.3.2 電離輻射缺陷的DLTS譜分析
    3.3.3 電離輻射缺陷的GS和SS測試
    3.4 雙極器件電離損傷影響因素
    3.4.1 電離輻射劑量率因素
    3.4.2 電離輻射粒子因素
    3.4.3 器件偏置條件因素
    3.4.4 器件結構因素
    3.4.5 氫氣氣氛因素
    3.5 電離輻射缺陷產生過程
    3.5.1 粒子與靶材料相互作用概述
    3.5.2 電離輻射損傷過程
    3.5.3 氧化物電荷退火效應表征
    3.5.4 界面態陷阱特性
    3.5.5 邊界陷阱
    3.6 雙極晶體管電離損傷相關問題
    3.6.1 概述
    3.6.2 載流子復合
    3.6.3 過剩基極電流
    3.6.4 雙極晶體管退火效應
    3.6.5 開關偏置效應
    3.6.6 雙極晶體管電離損傷模型
    3.6.7 低劑量率輻射增強效應
    本章參考文獻
    第4章 雙極器件位移損傷效應
    4.1 概述
    4.2 位移輻射損傷效應基本特征
    4.2.1 輻照源選擇
    4.2.2 Gummel曲線變化規律
    4.2.3 電流增益變化規律
    4.3 雙極器件位移缺陷表征及演化
    4.3.1 深能級瞬態譜分析
    4.3.2 不同能量重離子輻射缺陷演化
    4.3.3 不同種類重離子輻射缺陷演化
    4.3.4 不同重離子源位移輻射效應對比分析
    4.4 位移損傷影響因素
    4.4.1 偏置條件
    4.4.2 器件類型
    4.4.3 器件結構參數
    4.5 位移損傷效應機理
    4.5.1 概述
    4.5.2 位移能量閾值
    4.5.3 位移損傷缺陷
    4.5.4 位移缺陷對半導體電性能的影響
    4.5.5 位移損傷等效關繫
    本章參考文獻
    第5章 雙極器件電離/位移協同效應
    5.1 概述
    5.2 電離/位移協同效應基本特征
    5.2.1 輻照源的選擇
    5.2.2 Gummel曲線變化規律
    5.2.3 電流增益變化規律
    5.3 輻射損傷缺陷表征
    5.3.1 異種粒子協同輻射缺陷分析
    5.3.2 單一種粒子輻射缺陷分析
    5.4 輻射損傷機理
    5.4.1 低能質子和電子綜合輻照
    5.4.2 偏置條件對低能電子/質子綜合輻照的影響
    5.4.3 重離子和電子綜合輻照
    5.4.4 高能質子單獨輻照
    5.4.5 協同效應模擬仿真分析
    5.4.6 電離/位移協同效應物理模型
    本章參考文獻
    第6章 雙極器件抗輻射加固相關問題
    6.1 引 言
    6.2 雙極器件輻射損傷敏感部位界定
    6.2.1 電離輻射損傷敏感部位
    6.2.2 位移輻射損傷敏感部位
    6.3 抗輻射雙極器件工藝優化
    6.3.1 氧化物層工藝
    6.3.2 基區表面濃度控制
    6.3
 
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