第1章 簡介
1.1 地球環境次級粒子的基本知識
1.2 CMOS半導體器件和繫統
1.3 兩種主要的故障模式：電荷收集與雙極放大
1.4 電子繫統中故障條件下的四種架構：故障-錯誤-危害-失效
1.5 軟錯誤研究的歷史背景
1.6 本書的一般範圍
參考文獻
第2章 地球環境輻射場
2.1 一般性輻射來源
2.2 選擇地球環境高能粒子的背景知識
2.3 航空高度的粒子能譜
2.4 地球環境的放射性同位素
2.5 本章小結
參考文獻
第3章 輻射效應基礎
3.1 輻射效應介紹
3.2 截面定義
3.3 光子引起的輻射效應（γ和X射線）
3.4 電子引起的輻射效應（β射線）
3.5 μ介子引起的輻射效應
3.6 質子引起的輻射效應
3.7 α粒子引起的輻射效應
3.8 低能中子引起的輻射效應
3.9 高能中子引起的輻射效應
3.10 重離子引起的輻射效應
3.11 本章小結
參考文獻
第4章 電子器件和繫統基礎
4.1 電子元器件基礎
4.1.1 DRAM（動態隨機存取存儲器）
4.1.2 CMOS反相器
4.1.3 SRAM（靜態隨機存取存儲器）
4.1.4 浮柵存儲器（閃存）
4.1.5 時序邏輯器件
4.1.6 組合邏輯器件
4.2 電子繫統基礎
4.2.1 FPGA（現場可編程門陣列）
4.2.2 處理器
4.3 本章小結
參考文獻
第5章 單粒子效應輻照測試方法
5.1 場測試
5.2 α射線SEE測試
5.3 重離子輻照測試
5.4 質子束測試
5.5 高能μ介子測試方法
5.6 熱/冷中子測試方法
5.7 高能中子測試
5.7.1 使用放射性同位素的中能中子源