作者具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗；
模擬電路版圖設計方面少有的經典之作。

本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基於模擬集成電路設計所采用的三種基本工藝：標準雙極工藝、多晶硅柵CMOS工藝和模擬BiCMOS工藝；重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極管設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合並、保護環、焊盤制作、單層連接、ESD結構等。最後介紹了有關芯片版圖的布局布線知識。

Alan Hastings， TI（德州儀器）教授級工程師，具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。

第1章 器件物理
1.1 半導體
1.1.1 產生與復合
1.1.2 非本征（雜質）半導體
1.1.3 擴散和漂移
1.2 PN結
1.2.1 耗盡區
1.2.2 PN結二極管
1.2.3 肖特基二極管
1.2.4 齊納二極管
1.2.5 歐姆接觸
1.3 雙極型晶體管
1.3.1 Beta
1.3.2 I-V特性
1.4 MOS晶體管
1.4.1 閾值電壓
1.4.2 I-V特性
1.5 JFET晶體管
1.6 小結
1.7 習題
第2章 半導體制造
2.1 硅制造
2.1.1 晶體生長
2.1.2 晶圓制造
2.1.3 硅的晶體結構
2.2 光刻技術
2.2.1 光刻膠
2.2.2 光掩模和掩模版
2.2.3 光刻
2.3 氧化物生長和去除
2.3.1 氧化物生長和澱積
2.3.2 氧化物去除
2.3.3 氧化物生長和去除的其他效應
2.3.4 硅的局部氧化（LOCOS）
2.4 擴散和離子注入
2.4.1 擴散
2.4.2 擴散的其他效應
2.4.3 離子注入
2.5 硅澱積和刻蝕
2.5.1 外延
2.5.2 多晶硅澱積
2.5.3 介質隔離
2.6 金屬化
2.6.1 鋁澱積及去除
2.6.2 難熔阻擋金屬
2.6.3 硅化
2.6.4 夾層氧化物、夾層氮化物和保護層
2.6.5 銅金屬化
2.7 組裝
2.7.1 安裝與鍵合