王衛東等編著的《模擬電子技術基礎（第3版）
》為“十二五”普通高等教育本科國家級規劃教材。
本教材是為了適應當前模擬電子技術基礎課程的
教學改革而編寫的。教材內容包括：半導體基礎及二
極管應用電路、雙極型晶體管和場效應管原理、晶體
管放大器基礎、模擬集成基本單元電路、放大器頻率
響應、負反饋技術、集成運算放大器及應用、直流穩
壓電源、電流模式電路基礎及應用、電流傳輸器、跨
導運算放大器（OTA）原理及應用等。
本書以“講透基本原理，打好電路基礎，面向集
成電路”為宗旨，避免復雜的數學推導，強調物理概
念和晶體管器件模型的描述，加強場效應管（尤其是
MOS場效應管）的電路分析，充分重視集成電路的教
學。在若干知識點的闡述上，本教材特色鮮明，並在
內容取舍、編排以及文字表述等方面都力求解決初學
者入門難的問題。另外為了幫助初學者更好地學習本
書，對所述的基本電路利用EWB的電路設計軟件進行
了電路仿真，同時還配有CAI教學軟件。
本書可作為高等院校工科學生電子技術基礎課程
教材，也適用於廣大電路工作者參考。

第1章 半導體基礎及二極管應用電路
1.1 半導體基礎知識
1.1.1 本征半導體
1.1.2 雜質半導體
1.1.3 漂移電流與擴散電流
1.2 PN結
1.2.1 PN結的形成及特點
1.2.2 PN結的單向導電特性
1.3 晶體二極管及其應用
1.3.1 晶體二極管的伏安特性
1.3.2 二極管的直流電阻和交流電阻
1.3.3 二極管模型
1.3.4 二極管應用電路舉例
1.3.5 穩壓管及其應用
1.3.6 PN結電容效應及應用
1.3.7 *特殊二極管
本章小結
思考題與習題1
第2章 晶體三極管基礎
2.1 雙極型晶體三極管
2.1.1 BJT的工作原理
2.1.2 BJT的靜態特性曲線
2.1.3 BJT主要參數
2.1.4 BJT小信號模型
2.2 結型場效應管
2.2.1 JFET的結構和工作原理
2.2.2 JFET的特性曲線及參數
2.2.3 JFET的小信號模型
2.3 金屬-氧化物-半導體場效應管
2.3.1 N溝道增強型MOSFET工作原理
2.3.2 N溝道耗盡型MOSFET工作原理
2.3.3 MOSFET小信號模型
2.3.4 場效應晶體管與雙極型晶體管的比較
本章小結
思考題與習題2
第3章 晶體管放大電路基礎
3.1 放大電路的基本組成和工作原理
3.1.1 基本放大器及其模型
3.1.2 放大電路的組成及其直流、交流通路
3.1.3 放大電路的圖解法
3.2 三類基本組態放大電路的交流特性分析
3.2.1 共射和共源放大電路
3.2.2 共集和共漏放大電路
3.2.3 共基和共柵放大電路
3.2.4 三類基本組態放大電路的比較
3.3 多級放大電路
3.3.1 多級放大器耦合方式
3.3.2 多級放大器性能指標的計算
3.3.3 組合放大器
本章小結
思考題與習題3
第4章 模擬集成基本單元電路
4.1 半導體集成電路概述
4.2 恆流源和穩定偏置電路
4.2.1 BIT參數的溫度特性
……
第5章 放大電路的頻率特性
第6章 負反饋技術
第7章 集成運算放大器及其應用
第8章 直流穩壓電源
第9章 電流模式電路基礎
附錄A 我國半導體器件型號命名方法(根據**標準GB 249—74)
附錄B **電子聯合會半導體器件型號命名法
附錄C 美國半導體器件型號命名法
附錄D 日本半導體器件型號命名法
附錄E 國產半導體二極管主要參數
附錄F 常用半導體三極管的主要參數
附錄G 國產半導體集成電路的命名方法
部分習題參考答案
參考文獻