傅興華、丁召、陳軍寧、楊健編著的《半導體器
件原理簡明教程(普通高等教育電子科學與技術類特
色專業繫列規劃教材)》力圖用最簡明、準確的語言
，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體
物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金
屬半導體接觸和異質結、半導體光電子器件。
本書在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介
紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質結、能帶
工程、量子阱激光器等。
本書可作為高等院校電子信息與電氣學科相關專
業半導體器件原理課程的教材，也可供有關科研人員
和工程技術人員參考。

習題
第5章 金屬一半導體接觸和異質結
5.1 金屬一半導體接觸
5.1.1 理想金屬一半導體接觸
5.1.2 非理想效應
5.1.3 金屬一半導體接觸的電流電壓關繫
5.1.4 歐姆接觸的實現方法
5.2 異質結
5.2.1 異質結半導體材料能帶結構的對應關繫
5.2.2 異質結能帶圖的畫法
5.2.3 異質結的基本特性
5.2.4 同型異質結
5.3 應變異質結
習題
第6章 半導體光電子器件
6.1 半導體的光吸收和發射
6.1.1 光的基本性質
6.1.2 光在半導體中的吸收
6.1.3 半導體的光發射
6.2 太陽能電池
6.3 光探測器件
6.4 發光二極管
6.4.1 發光二極管基礎
6.4.2 能帶工程
6.5 半導體激光器件
6.5.1 半導體激光器件基礎
6.5.2 量子阱激光器
6.5.3 垂直腔面發射激光器
習題
附錄
附錄A 物理常數
附錄B 晶體結構和晶格常數(A)
附錄C 重要半導體的基本性質
附錄D 硅、砷化鎵和锗的重要性質
附錄E 二氧化硅和氮化硅的性質
附錄F 硅中的雜質能級
附錄G 砷化鎵中的雜質能級
參考文獻