孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導體器件物
理(第2版普通高等教育電子科學與技術類特色專業繫
列規劃教材)》是普通高等教育“十一五”國家級規
劃教材。本書介紹了常用半導體器件的基本結構、工
作原理、主要性能和基本工藝技術。全書內容包括：
半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半
導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶
體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移
器件、半導體太陽電池及光電二極管、發光二極管和
半導體激光器等。
本書可作為高等院校電子科學與技術、微電子學
、光電子技術等專業的半導體器件物理相關課程的教
材，也可供有關科研人員和工程技術人員參考。

從書序
第二版前言
**版前言
主要符號表
第1章 半導體物理基礎
1.1 半導體中的電子狀態
1.1.1 周期性勢場
1.1.2 周期性勢場中電子的波函數布洛赫定理
1.1.3 周期性邊界條件
1.2 能帶
1.3 有效質量
1.4 導帶電子和價帶空穴
1.4.1 金屬、半導體和*緣體的區別
1.4.2 空穴
1.5 硅、锗、砷化鎵的能帶結構
1.5.1 等能面
1.5.2 能帶圖
1.6 雜質和缺陷能級
1.6.1 施主雜質和施主能級 N型半導體
1.6.2 受主雜質和受主能級 P型半導體
1.6.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質
1.6.4 深能級
1.6.5 缺陷能級
1.7 載流子的統計分布
1.7.1 狀態密度
1.7.2 費米分布函數與費米能級
1.7.3 能帶中的電子和空穴濃度
1.7.4 本征半導體
1.7.5 隻有一種雜質的半導體
1.7.6 雜質補償半導體
1.7.7 簡並半導體
1.8 載流子的散射
1.8.1 格波與聲子
1.8.2 載流子的散射過程
1.9 電荷輸運現像
1.9.1 漂移運動、遷移率與電導率
1.9.2 擴散運動和擴散電流
1.9.3 流密度、電流密度和電流方程
1.10 非均勻半導體中的自建電場
1.10.1 半導體中的靜電場和勢
1.10.2 愛因斯坦關繫
1.10.3 非均勻半導體和自建電場
1.11 非平衡載流子
1.12 準費米能級
1.12.1 準費米能級的定義
1.12.2 修正的歐姆定律
1.13 復合機制
1.13.1 直接復合
1.13.2 通過復合中心的復合
1.14 表面復合和表面復合速度