| | | 納米半導體器件與技術/高新科技譯叢 | 該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信 | 【市場價】 | 860-1246元 | 【優惠價】 | 538-779元 | 【介質】 | book | 【ISBN】 | 9787118090789 | 【折扣說明】 | 一次購物滿999元台幣免運費+贈品 一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品 一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品 一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
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出版社:國防工業
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ISBN:9787118090789
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作者:(加)印紐斯基|譯者:劉明//呂杭炳
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頁數:361
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出版日期:2013-12-01
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印刷日期:2013-12-01
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包裝:平裝
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開本:16開
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版次:1
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印次:1
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字數:576千字
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納米電子學是一個正在興起的兆億美元的產業。經過幾年的時間即可發展成熟,屆時,它將囊括日常生活中當前流行的所有微電子技術(手機、計算機、網絡等)。這些改變將借助於以後把器件尺寸減少到幾十個納米,增加納米器件、納米傳感器和納米致動器以及發展新的器件結構。納米電子學將盛行於生活的各方各面(通信、計算、存儲、演示和能源制備)。納米半導體是納米電子學領域的一個必不可少的部分。 《納米半導體器件與技術》(作者印紐斯基)分三部分。 本書涵蓋了廣泛、多樣的內容,編者**希望讀者可以被本書吸引,發現納米電子學領域在科研和日常生活中都是有趣和有用的。
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《納米半導體器件與技術》(作者印紐斯基)這本
書由來自工業界和學術界的國際頂級專家參與撰寫,
是
一本對未來納米制造技術有濃厚興趣的人必讀的書。
《納米半導體器件與技術》介紹了半導體工藝從
標準的CMOS硅工藝到新型器件結構的演變,包括碳納
米管、
石墨烯、量子點、III-V族材料。本書涉及納米電子
器件的研究現狀,提供了包羅萬像的關
於材料和器件結構的資源.包括從微電子到納電子的
革命。
本書分三個部分:
半導體材料(例如,碳納米管,憶阻器及自旋有
機器件);
硅器件與技術(如BICMOS,SOI,各種三維集成和
RAM技術.以及太陽能電池);
復合半導體器件與技術。
本書探索了能夠在微電子繫統性能上超越傳統
CMOS的新興材料。討論的主題涉及碳納
米管的電子輸運GAN HEMTS技術及應用。針對萬億美
元納米技術產業的真實市場需求和技
術壁壘,本書提供了新型元器件結構的重要信息.而
這將使其向未來的發展邁出一大步。
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**部分 半導體材料 第1章 碳納米管中的電子運動:從電子動力學到電路模型 1.1 引言 1.2 碳納米管的電子動力學 1.2.1 概述 1.2.2 碳納米管的能帶結構 1.2.3 碳納米管的構造 1.2.4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數量 1.3 電磁學中的應用:碳納米管作為一種新型的散射材料 1.3.1 概述 1.3.2 碳納米管散射的電磁學模型 1.4 電路中的應用:碳納米管作為一種新型的互連材料 1.4.1 納米級互連中的碳納米管 1.4.2 碳納米管互連的TL模型 1.4.3 束狀碳納米管作為新型的芯片封裝的互連材料 1.5 結論 參考文獻 第2章 碳納米管與cMos的單片集成 第3章 便捷的、可擴展的外圍電化學方法制備二氧化鈦憶阻器 第4章 有機半導體中的自旋傳輸:*初八年的簡要概述 第二部分 硅器件和技術 第5章 siGc BicMoS技術與器件 第6章 新型的高性能低功耗器件範例:極限FDSOI多柵MOSFET和多勢壘促進柵極共振隧穿FET 第7章 三維芯片集成技術的發展 第8章 嵌入式STT—MRAM 第9章 非易揮發性存儲器件:阻變存儲器 **0章 DRAM技術 **1章 單晶硅太陽能電池的優化和模型 **2章 硅器件的輻射效應 第三部分 復合半導體器件與技術 **3章 使用直接生長技術的GaN/InGaN雙異質結雙極晶體管 **4章 氮化鎵高電子遷移率晶體管技術與應用 **5章 基於CaN的金屬-氧化物-半導體高電子遷移率晶體管的表面處理、工藝和性能 **6章 下一代高功率/高溫器件——大尺度硅襯底氮化鎵基HEMT器件 **7章 應用於手機終端的砷化鎵異質結雙極型晶體管及功率放大器設計 **8章 Ⅲ族氯化物的負微分電阻和共振隧穿 **9章 三氮化物半導體子能帶光電學的新發展
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