前言
第1章 概述
1.1 引言
1.2 功率半導體器件介紹
1.2.1 功率二極管
1.2.2 功率MOSFET
1.2.3 晶閘管及其相關器件
1.2.4 IGBT
1.2.5 發展現狀及展望
1.3 IGBT驅動介紹
1.3.1 被動式驅動電路
1.3.2 主動式驅動電路
1.4 大功率IGBT串並聯技術
1.4.1 IGBT並聯均流技術
1.4.2 IGBT串聯均壓技術
1.5 展望
1.5.1 IGBT在線監測與故障分析
1.5.2 大功率IGBT串並聯技術
1.5.3 SiC器件驅動與保護電路研究
參考文獻
第2章 IGBT的開關特性及主要參數
2.1 等效電路分析
2.1.1 IGBT等效電路
2.1.2 開關過程等效電路
2.2 IGBT開關特性
2.2.1 IGBT開通過程
2.2.2 IGBT關斷過程
2.3 擎住效應
2.4 安全工作區
2.5 續流二極管
2.5.1 續流二極管靜態特性
2.5.2 續流二極管開通特性
2.5.3 續流二極管關斷特性
2.6 IGBT的數據手冊
2.6.1 IGBT的極限參數
2.6.2 IGBT的特征參數
2.6.3 續流二極管的特征參數
參考文獻
第3章 IGBT驅動電路
3.1 驅動電路簡介
3.1.1 驅動電壓
3.1.2 門極電阻
3.1.3 驅動電流
3.2 驅動電源
3.2.1 驅動功率計算
3.2.2 DC/DC電路設計
3.3 驅動信號隔離
3.3.1 光隔離方式
3.3.2 脈衝變壓器隔離方式
3.4 驅動器其他要求