德哈納拉等著的《晶體生長手冊(第4冊蒸發及外延法晶體生長技術影印版》針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為完成這一任務，編者們精選了50多位**科學家、學者和工程師，他們的合作者來自於22個不同**。這些作者根據他們的專業所長，編寫了關於晶體生長和缺陷形成共計52章內容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現代的特別課題。

《晶體生長手冊(第4冊蒸發及外延法晶體生長技術影印版》針對目前 備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的 是使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為 完成這一任務，編者們精選了50多位頂尖科學家、學者和工程師，他們的 合作者來自於22個不同國家。這些作者根據他們的專業所長，編寫了關於 晶體生長和缺陷形成共計52章內容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外 延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現代的特別課 題。 德哈納拉等著的《晶體生長手冊(第4冊蒸發及外延法晶體生長技術影 印版》分為七部分。Pan A介紹基礎理論：生長和表征技術綜述，表面成核 工藝，溶液生長晶體的形態，生長過程中成核的層錯，缺陷形成的形態。 Part B介紹體材料晶體的熔體生長，一種生長大尺寸晶體的關鍵方法 。這一部分闡述了直拉單晶工藝、泡生法、布裡茲曼法、浮區熔融等工藝 ，以及這些方法的最新進展。例如應用磁場的晶體生長、生長軸的取向、 增加底基和形狀控制。本部分涉及材料從硅和Ⅲ一V族化合物到氧化物和氟 化物的廣泛內容。

縮略語
PartD 晶體的氣相生長
23 SiC晶體的生長與表征
23.1 SiC-背景與歷史
23.2 氣相生長
23.3 高溫溶液生長
23.4 籽晶升華的產業化體材料生長
23.5 結構缺陷及其構造
23.6 結語
參考文獻
24 物理氣相傳輸法生長體材料AIN晶體
24.1 物理氣相傳輸法晶體生長
24.2 高溫材料兼容
24.3 AIN體材料晶體的自籽晶生長
24.4 AIN體材料晶體的籽晶生長
24.5 高質量晶體表征
24.6 結論與展望
參考文獻
25 單晶有機半導體的生長
25.1 基礎
25.2 成核與晶體生長理論
25.3 對半導體單晶有機材料的興趣
25.4 提純預生長
25.5 晶體生長
25.6 有機半導體單晶的質量
25.7 有機單晶場效應晶體管
25.8 結論
參考文獻
26 鹵化物氣相外延生長Ⅲ族氮化物
26.1 生長化學和熱力學
26.2 HVPE生長設備
26.3 體材料GaN的生長襯底和模版
26.4 襯底除去技術
26.5 HVPE中GaN的摻雜方法
26.6 缺陷密度、位錯和殘留雜質
26.7 HVPE生長的體材料GaN的一些重要性能
26.8 通過HVPE生長AIN:一些初步的結論
26.9 通過HVPE生長InN:一些初步的結論
參考文獻
27 半導體單晶的氣相生長
27.1 氣相生長分類
27.2 化學氣相傳輸——傳輸動力學
27.3 熱力學討論
27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半導體的生長
27.5 納米材料的氣相生長
27.6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ，化合物生長
27.7 VPE法生長氮化鎵
27.8 結論
參考文獻
PartE 外延生長和薄膜
28 化學氣相沉積的碳化硅外延生長
28.1 碳化硅極化類型
28.2 碳化硅的缺陷
28.3 碳化硅外延生長
28.4 圖形襯底上的外延生長
28.5 結論
參考文獻
29 半導體的液相電外延
29.1 背景
29.2 早期理論和模型的研究
29．3 二維連續模型
29．4 靜態磁場下的LPEE生長法
29．5 三維仿真
29．6 LPEE的高生長率：電磁場下遷移率
參考文獻
30 半導體的外延橫向增生
30．1 概述
30．2 液相外延橫向增生的機制
30．3 EL0層中的位錯
30．4 EL0層張力
30．5 半導體結構橫向增生的*新進展
30．6 結語
參考文獻
31 新材料的液相外延
31．1 LPE的發展歷史
31．2 LPE的基礎和溶液生長
31．3 液相外延的要求
31．4 新材料研究：外延澱積法的選擇
31．5 高溫超導體的lJPE法
31．6 锗酸鈣鎵的LEP
31．7 氮化物的液相外延
31．8 結論
參考文獻
32 分子束外延的HgcdTe生長
32．1 綜述
32．2 MBE生長理論
32．3 襯底材料
32．4 生長硬件的設計
32．5 監測和控制生長的原位表征工具
32．6 成核和生長過程
32．7 摻雜和摻雜激活
32．8 MBE法生長的HgcdTe外延層的特性