●叢書序
前言
第1章低維半導體材料及其物理性質1
1.1異質結構的能帶排列和帶階1
1.2量子阱與超晶格4
1.3量子點9
1.4量子環10
參考文獻12
第2章低維半導體材料制備方法概述13
2.1低維半導體材料刻蝕技術簡介13
2.2分子束外延生長技術20
2.3低維半導體材料的自組織外延生長30
2.4本章小結39
參考文獻39
第3章硅锗低維結構的生長理論42
3.1硅锗低維結構的熱力學理論42
3.2圖形襯底上硅锗量子點生長動力學理論48
3.3小應力下薄膜外延生長機制52
3.4本章小結58
參考文獻58
第4章硅锗低維結構的可控生長技術60
4.1圖形襯底輔助外延技術60
4.2斜切Si襯底表面外延技術83
4.3後處理形貌控制技術93
4.4本章小結100
參考文獻100
第5章圖形硅襯底上硅锗可控外延生長105
5.1有序排布硅锗納米島105
5.2可控硅锗納米島外延結構127
5.3其他硅锗低維納米結構生長控制131
5.4本章小結138
參考文獻138
第6章斜切Si襯底上硅锗可控外延生長141
6.1〈110〉方向斜切Si襯底上硅锗量子點的可控生長141
6.2斜切Si（1110）襯底上硅锗納米線的可控生長148
6.3〈100〉方向斜切襯底上硅锗納米線的可控生長159
6.4本章小結169
參考文獻170
第7章可控硅锗低維結構的光電特性172
7.1可控硅锗量子點的發光特性172
7.2石墨烯有序硅锗量子點復合結構的發光行為191
7.3锗硅納米結構與光學微腔共振模的耦合效應194
7.4可控硅锗低維量子結構的電學輸運特性201
7.5本章小結210
參考文獻211
第8章硅锗低維結構片上可控集成與器件應用215
8.1定位生長技術與器件可控集成215
8.2硅锗低維可控結構與光電器件集成219
8.3Si基低維新材料與可控光電集成226
8.4可控量子點新型光電器件集成應用展望246
8.5本章小結250
參考文獻251
