●第1章氧化鎵材料簡介
1.1氧化鎵晶體結構
1.2氧化鎵發展歷程
1.2.1氧化鎵單晶的發展
1.2.2氧化鎵薄膜外延的發展
1.2.3氧化鎵器件的發展
參考文獻
第2章氧化鎵的電學特性
2.1施主雜質與受主雜質
2.1.1半導體中的雜質和載流子液度
2.1.2氧化鎵中的施主雜質
2.1.3氧化鎵P型摻雜
2.2電子-聲子相互作用
2.2.1玻耳茲曼輸運方程
2.2.2聲學聲子散射
……

本書主要介紹近幾年發展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。
本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復等內容；第5~7章（氧化鎵器件部分）介紹了氧化鎵二極管器件的應用方向、器件類型及其發展歷程，氧化鎵場效應晶體管的工作原理、性能指標、器件類型、發展歷程以及今後的發展方向，氧化鎵日盲深紫外光電探測器的工作原理、器件類型、成像技術等。
本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級本科生的參考書和工具書，也可作為其他對氧化鎵寬禁帶半導體器件感興趣的研究人員的參考資料。