●1 緒論
1.1 半導體材料的特征
1.1.1 半導體材料的定義
1.1.2 半導體材料的基本特性
1.2 半導體材料發展簡史
1.3 半導體材料的分類
1.4 半導體中的雜質和缺陷
1.4.1 雜質
1.4.2 缺陷
1.4.3 半導體缺陷工程
1.5 半導體材料的性能檢測
1.6 半導體材料的發展趨勢
1.6.1 半導體材料的發展趨勢
1.6.2 半導體材料性能檢測技術趨勢
1.7 半導體材料研究的新進展
1.7.1 幾種主要半導體材料的發展現狀與趨勢
1.7.2 太陽能電池材料
1.7.3 中國半導體材料業的狀況分析
1.8 半導體材料展望
2 半導體材料的物理基礎與效應
2.1 半導體中的晶體結構
2.2 載流子和能帶
2.2.1 載流子
2.2.2 能帶結構
2.2.3 電子和空穴
2.3 雜質和缺陷能級
2.3.1 雜質半導體
2.3.2 雜質能級
2.3.3 深能級
2.3.4 缺陷能級
2.4 熱平衡下的載流子
2.4.1 載流子的狀態密度和統計分布
2.4.2 本征半導體的載流子濃度
2.4.3 雜質半導體的載流子濃度和補償
2.5 非平衡少數載流子
2.5.1 非平衡載流子的產生、復合和壽命
2.5.2 非平衡載流子的擴散
2.5.3 非平衡載流子在電場下的漂移和擴散
2.6 pn結
2.6.1 pn結的制備
2.6.2 pn結的能帶結構
2.6.3 pn結的電流電壓特性
2.7 金屬.半導體接觸和MIs結構
2.7.1 金屬一半導體接觸
2.7.2 歐姆接觸
2.7.3 MIS結構
2.8 太陽能光電轉換原理――光生伏特效應
2.8.1 半導體材料的光吸收
2.8.2 光生伏特
2.9 半導體材料光學效應
2.9.1 半導體的光學效應基礎
2.9.2 半導體的光電導效應和光致發光
2.9.3 pn結的光伏效應
2.10 半導體熱電效應
2.10.1 塞貝克效應
2.10.2 珀耳帖效應
2.10.3 湯姆遜效應
2.10.4 塞貝克繫數、珀耳帖繫數和湯-姆遜繫數間的關繫
2.1 l半導體材料磁學效應
2.11.1 霍爾效應
2.11.2 磁阻與壓阻效應
3 半導體材料的分類與性質
3.1 第一～第四代半導體材料
3.1.1 第一代半導體材料
3.1.2 第二代半導體材料
3.1.3 第三代半導體材料
3.1.4 第四代半導體材料
3.2 半導體功能材料
3.2.1 稀磁半導體
3.2.2 半導體敏感材料
3.2.3 半導體熱電材料
3.2.4 半導體陶瓷材料及其特點
3.2.5 半導體光電子材料
4 半導體材料的制備
4.1 體單晶生長
4.1.1 熔體生長基本原理
4.1.2 直拉法
4.1.3 改進直拉生長技術
4.1.4 懸浮區熔技術
4.1.5 垂直梯度凝固和垂直布裡奇曼技術
4.1.6 水平布裡奇曼技術
4.1.7 化合物半導體單晶熔體生長技術的比較
4.1.8 氣相輸運生長技術
4.2 外延生長
4.2.1 LPE技術
4.2.2 VPE技術
4.2.3 MBE技術
4.2.4 化學束外延技術
4.2.5 其他外延技術
4.3 非晶半導體薄膜制備
4.3.1 制備方法概述
4.3.2 非晶硅薄膜制備
4.3.3 非晶硅晶化制備多晶硅薄膜
4.4 帶硅材料制備技術
4.5 片狀晶生長
4.5.1 D-Web技術
4.5.2 SR技術
4.5.3 EFG技術
5 半導體材料檢測與測試
5.1 半導體材料檢測
5.2 半導體材料測試
5.2.1 電導率測試
5.2.2 擴展電阻法
5.2.3 少數載流子壽命測試的基本原理和技術
5.2.4 少數載流子擴散長度測試
5.2.5 霍爾效應測試
5.2.6 紫外一可見光分光光度測試原理
5.2.7 I-V和C-V測試
6 半導體材料設計
6.1 材料設計概念
6.1.1 材料設計的含義
6.1.2 材料設計的範圍和層次
6.1.3 現代材料設計的幾個環節
6.1.4 材料設計的發展趨勢及反思
6.2 材料設計的途徑
6.2.1 材料知識庫和數據庫技術
6.2.2 材料設計專家繫統
6.2.3 材料設計中的計算機模型
7 半導體材料的應用
7.1 半導體材料的磁學應用
7.2 半導體材料的光催化應用
7.3 半導體材料在太陽能電池上的應用
7.3.1 太陽能電池發展歷程
7.3.2 太陽電池材料作為清潔能源材料的重要性
7.3.3 太陽電池材料
7.3.4 發展趨勢和展望
7.4 半導體材料在傳感器上的應用
7.4.1 氧化硅寬禁帶氧化物半導體
7.4.2 GaN寬帶隙半導體材料應用
7.4.3 SiC第三代半導體材料應用
參考文獻
