●第1章半導體物理基礎及基本方程
●1.1半導體晶格
●1.1.1基本的晶體結構
●1.1.2晶向和晶面
●1.1.3原子價鍵
●1.2半導體中的電子狀態
●1.2.1原子的能級和晶體的能帶
●1.2.2半導體中電子的狀態和能帶
●1.2.3半導體中電子的運動和有效質量
●1.2.4導體、半導體和絕緣體
●1.3平衡狀態下載流子濃度
●1.3.1費米能級和載流子的統計分布
●1.3.2本征載流子濃度
●1.3.3雜質半導體的載流子濃度
●1.3.4簡並半導體的載流子濃度
●1.4非平衡載流子
●1.4.1非平衡載流子的注入與復合過程
●1.4.2非平衡載流子的壽命
●1.4.3復合理論
●1.5載流子的輸運現像
●部分目錄

本書為普通高等教育“十一五”、“十二五”重量規劃教材。本書首先介紹半導體器件基本方程。在此基礎上，全面繫統地介紹PN結二極管、雙極結型晶體管（BJT）和絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）的基本結構、基本原理、工作特性和SPICE模型。本書還介紹了主要包括HEMT和HBT的異質結器件。書中提供大量習題，便於讀者鞏固及加深對所學知識的理解。本書適合作為高等學校電子科學與技術、集成電路設計與集成繫統、微電子學等專業相關課程的教材，也可供其他相關專業的本科生、研究生和工程技術人員閱讀參考。

陳星弼 等 編著