內容簡介
硅是當代電子工業中應用很多的半導體材料之一。隨著微電子技術的應用，納米材料器件得到大力發展。硅及硅基納米器件制備和使用過程中，失配應變所產生的位錯不但關繫到的材料的微納米力學性能，還影響器件的光、電、磁、熱等性能，是影響納米器件服役性能和解釋其失效機理的重要方面。王超營、武國勛、李晨亮、周躍發編著的《硅中部分位錯演化的分子模擬》以硅锗異質結構外延生長過程中產生的部分位錯為研究背景，采用分子模擬方法研究硅中部分位錯的運動特性以及與其他缺陷的相互作用。
本書主要用於利用分子模擬方法對硅中位錯及缺陷進行研究的同行之間的交流，也可做為分子模擬方法入門的參考資料。
