王占國等編著的《半導體材料研究進展(**卷)》是材料科學與工程著作繫列之一。本書共十章節，內容包括緒論、現代半導體材料制備和表征技術、元素半導體材料锗和硅、硅基異質結構材料、Ⅲ-V族化合物半導體材料、m族氮化物半導體材料等。本書可作為高等院校、科研院所從事電子科學與技術、微電子和光電子學、電子工程與材料科學等專業的研究生和科研工作者的參考讀物。

王占國等編著的《半導體材料研究進展(第1卷)》首先回顧了半導體材 料的發展史，簡述了半導體材料的生長機理和現代半導體材料制備與表征新 技術；然後對元素半導體锗、硅單晶材料以及硅基異質結構材料的制備、物 性及其在微電子、光伏電池和光電集成方面的應用做了概述；接著介紹以 GaAs、InP為代表的Ⅲ-V族化食物單晶襯底材料、趣晶格量子阱、量子線和 量子點材料及應用，寬禁帶GaN基Ⅲ族氮化物異質結構材料和SiC單aaa、外 延材料及其相關器件應用；進而重點描述近年來得到迅速發展的以Zn0為代 表的II-VI族半導體材料的研究現狀與發展趨勢；最後分別介紹HgCdTe等半 導體紅外探測材料和金剛石與立方氮化硼半導體材料的最新研究進展。 《半導體材料研究進展(第1卷)》可作為高等院校、科研院所從事電子 科學與技術、微電子和光電子學、電子工程與材料科學等專業的研究生和科 研工作者的參考讀物。

第一章 緒論
1.1 半導體材料發展簡史
1.2 半導體材料功能結構的演進
1.2.1 半導體三維結構材料
1.2.2 半導體低維結構材料
1.3 半導體材料生長動力學模式
1.3.1 半導體材料生長方法概述
1.3.2 塊狀半導體晶體生長動力學
1.3.3 半導體異質結構材料外延生長動力學
1.3.4 半導體納米材料的氣-液-固(VLS)反應生長動力學
1.4 碳基材料——石墨烯與碳納米管
1.4.1 石墨烯
1.4.2 碳納米管
參考文獻
第二章 現代半導體材料制備和表征技術
2.1 現代半導體材料制備技術
2.1.1 引言
2.1.2 分子束外延技術
2.1.3 金屬有機氣相外延技術
2.1.4 其他外延生長技術
2.2 現代半導體材料表征技術
2.2.1 引言
2.2.2 掃描探針顯微技術
2.2.3 反射差分譜
2.2.4 掃描近場光學顯微鏡
參考文獻
第三章 元素半導體材料锗和硅
3.1 锗的制備技術和應用進展
3.1.1 锗的研究和應用
3.1.2 锗的基本性質
3.1.3 金屬锗的制備
3.1.4 高純锗的制備
3.1.5 锗單晶的制備
3.2 高純多晶硅的制備技術
3.2.1 硅的基本性質和應用
3.2.2 金屬硅的制備技術
3.2.3 化學法制備多晶硅技術
3.2.4 物理冶金法制備多晶硅技術
3.3 微電子硅材料進展
3.3.1 微電子硅材料的研究和應用
3.3.2 大直徑硅晶體的生長和加工
3.3.3 晶體硅的缺陷工程和雜質工程
3.3.4 外延硅薄膜的生長
3.3.5 新型硅基薄膜
3.3.6 納米硅制備及其在納電子的應用
3.3.7 硅基發光和硅基光電子
3.4 太陽能硅材料進展
3.4.1 太陽能硅材料的研究及應用
3.4.2 直拉硅單晶的生長和加工
3.4.3 鑄造多晶硅的生長和加工
3.4.4 非晶硅薄膜的進展
3.4.5 帶硅的應用和進展
3.4.6 納米硅太陽能電池的應用
參考文獻
第四章 硅基異質結構材料
4.1 引言
4.2 硅基Ⅳ族異質結構材料
4.2.1 SiGe合金材料
4.2.2 自組裝Ge量子點材料
4.2.3 硅基Ge材料
……
第五章 Ⅲ-V族化合物半導體材料
第六章 m族氮化物半導體材料
第七章 SiC半導體材料
第八章 Ⅱ一Ⅵ族半導體材料
第九章 紅外半導體材料
第十章 半導體金剛石和立方氮化硼材料
參考文獻