李名復著的《半導體物理學（典藏版）》介紹近
代半導體物理學中比較活躍的幾個領域的基本成就和
新的發展。全書共五章：第一章論述完整晶體的能帶
理論，其中包括LCAO方法，贗勢方法，k·p方法和自
旋軌道耦合；第二章論述半導體中的缺陷態，重點介
紹深能級的理論和實驗；第三章介紹半導體的光學性
質，包括光吸收、激子、發光和拉曼散射；第四章論
述半導體表面，重點討論清潔的外表面；第五章簡單
介紹異質結、量子阱、超晶格及Hall效應。每章末尾
均附有參考文獻，書末還附有讀者必備的基礎知識和
常用數據等三個附錄。
本書是一部大專院校半導體物理專業研究生和高
年級學生的教科書，同時也是凝聚態物理及其他有關
領域的科研人員及研究生的參考書。

《凝聚態物理學叢書》出版說明
序言
第一章 完整晶體的能帶理論
§1.1 預備知識
§1.2 正交化平面波（OPW）和贗勢（pseudopotential）方法
§1.3 贗勢方法進一步討論
1.3.1 密度泛函理論
1.3.2 自洽贗勢計算和規範保持（norm—conserving）贗勢
1.3.3 交換和關聯作用局域密度近似（LDA）和準粒子
1.3.4 晶體繫統總能量和結構參數
§1.4 緊束縛近似或原子軌道線性組合近似（LCAO）
§1.5 k·p方法及有效質量
§1.6 自旋軌道耦合和由此引起的簡並態的分裂
參考文獻
第二章 半導體中的缺陷態
§2.1 引言
§2.2 對具有點缺陷的非理想晶體中的電子態的一般討論
§2.3 淺能級的有效質量近似（EMT）
§2.4 深能級的集團模型（cluster）方法、Koster—Slater格林函數方法和負U中心
§2.5 載流子通過深能級間接復合動力學
§2.6 利用瞬態方法研究缺陷能級
2.6.1 半導體結勢壘區（空間電荷區）的瞬變分析
2.6.2 等溫條件下的瞬態分析
2.6.3 深能級瞬態譜（DLTS）方法
§2.7 磁共振方法研究深能級（EPR，ENDOR和ODMR）
2.7.1 缺陷電子與磁場的相互作用
2.7.2 超精細作用
2.7.3 電子順磁共振實驗
2.7.4 g張量
2.7.5 雙共振（ENDOR）
2.7.6 光測磁共振（ODMR）
§2.8 深能級對載流子的復合機構——多聲子無輻射復合
參考文獻
第三章 半導體的光學性質
§3.1 固體宏觀光學響應函數
3.1.1 光的傳播
3.1.2 光的反射
3.1.3 光的透射
3.1.4 Kramers—Kronig色散關繫
§3.2 靠近吸收邊的本征吸收
3.2.1 直接躍遷吸收邊
3.2.2 非直接躍遷吸收邊
§3.3 激子（excitons）和激子效應
3.3.1 激子
3.3.2 激子效應對直接躍遷吸收邊譜的影響
3.3.3 激子效應對非直接躍遷吸收邊譜的影響
S 3.4 高能量躍遷
3.4.1 聯合態密度和臨界點
3.4.2 反射譜
3.4.3 調制反射譜
§3.5 缺陷態對應的光電離譜
§3.6 自由載流子吸收
3.6.1 帶內躍遷
3.6.2 帶間躍遷
§3.7 晶格吸收
§3.8 光發射
3.8.1 光場態密度及有關定義
3.8.2 受激吸收和發射，自發發射
3.8.3 各種發光過程（弱的自發輻射）
3.8.4 光吸收和光發射之間的關繫，推廣的Van Roosbroeck Shockley關繫，光放大（強的發射）
§3.9 光的非彈性散射——拉曼散射
3.9.1 有關名詞和經典圖像
3.9.2 拉曼散射的量子力學圖像
3.9.3 共振拉曼散射
3.9.4 受激拉曼散射
3.9.5 極化激元
參考文獻
第四章 半導體表面
§4.1 引言
§4.2 表面晶格結構
4.2.1 二維周期性
4.2.2 表面重構
§4.3 表面電子態
4.3.1 一般討論
4.3.2 自洽贗勢方法
4.3.3 LCAO方法
4.3.4 格林函數方法
§4.4 對表面重構的進一步討論
4.4.1 Si{100}2×1表面
4.4.2 Si{111}2×1表面
4.4.3 Si{111}7×7表面
§4.5 表面的實驗研究方法
4.5.1 綜述
4.5.2 光電子譜（PS）
4.5.3 低能電子衍射（LEED）
參考文獻
第五章 異質結，量子阱，超晶格和量子Hall效應
§5.1 異質結的能帶失調
§5.2 量子阱
5.2.1 量子阱中的束縛量子態
5.2.2 量子阱中的能態密度
5.2.3 量子阱中光躍遷對應的光吸收和發射
§5.3 超晶格
5.3.1 一般概念
5.3.2 利用LCAO方法、有效質量方法和贗勢方法對超晶格能帶結構作進一步討論
§5.4 量子Hall效應
參考文獻
附錄A 群論知識備忘錄
附錄B 光和電子相互作用的量子理論
附錄C 半導體物理研究中常用數據和圖表
附錄的參考文獻
後記