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前 言第1章 集成電路芯片制程簡介1 1.1 集成電路芯片概述1 1.1.1 集成電路芯片的發展1 1.1.2 集成電路的未來發展趨勢4 1.2 集成電路芯片工藝流程5 1.2.1 集成電路芯片前道制程工藝6 1.2.2 集成電路芯片後道制程工藝9 1.3 全球集成電路芯片制程設備市場總體概述10 1.3.1 國外市場分析11 1.3.2 國內市場分析15 1.3.3 半導體設備行業發展前景展望19 參考文獻20第2章 晶圓制備設備23 2.1 單晶生長設備23 2.1.1 單晶生長設備原理24 2.1.2 單晶生長設備發展26 2.1.3 單晶生長設備國內外市場分析26 2.2 晶片切割設備30 2.2.1 晶片切割設備原理31 2.2.2 晶片切割設備發展32 2.2.3 晶片切割設備國內外市場分析32 2.3 晶圓清洗設備37 2.3.1 晶圓清洗設備原理37 2.3.2 晶圓清洗設備發展39 2.3.3 晶圓清洗設備市場分析41 2.4 本章小結46 參考文獻47第3章 熱工藝設備50 3.1 熱氧化相關原理50 3.2 擴散相關原理53 3.3 tui火相關原理55 3.4 熱工藝設備結構及原理55 3.4.1 立式爐55 3.4.2 臥式爐58 3.4.3 快速熱處理設備61 3.5 國內外市場分析63 3.5.1 熱工藝設備市場概述63 3.5.2 國外相關設備概述65 3.5.3 國內相關設備概述66 3.6 本章小結68 參考文獻69第4章 光刻及光刻設備71 4.1 光刻原理71 4.2 光刻耗材74 4.2.1 光刻膠74 4.2.2 顯影液75 4.2.3 掩模版75 4.3 光刻機分類76 4.4 光刻機原理77 4.5 光刻機演變史79 4.5.1 國外光刻機發展史80 4.5.2 中國光刻機發展史81目錄一本書讀懂芯片制程設備 4.6 國內外市場分析83 4.6.1 國外相關設備概述84 4.6.2 國內光刻市場概述88 4.7 本章小結89 參考文獻90第5章 刻蝕設備94 5.1 原理介紹94 5.1.1 濕法刻蝕原理95 5.1.2 干法刻蝕原理97 5.2 刻蝕設備99 5.2.1 干法刻蝕設備原理99 5.2.2 干法刻蝕設備發展104 5.3 國內外市場分析107 5.3.1 刻蝕設備市場概述108 5.3.2 國外刻蝕設備市場分析109 5.3.3 國內刻蝕設備市場分析114 5.4 本章小結119 參考文獻119第6章 離子注入機122 6.1 離子注入相關原理122 6.2 離子注入設備結構125 6.3 國內外市場分析133 6.3.1 離子注入設備市場概述133 6.3.2 國外相關設備概述134 6.3.3 國內相關設備概述136 6.4 本章小結137 參考文獻137第7章 薄膜澱積設備140 7.1 原理介紹140 7.1.1 物理氣相澱積141 7.1.2 化學氣相澱積146 7.2 設備發展155 7.2.1 物理氣相澱積設備155 7.2.2 化學氣相澱積設備156 7.3 國內外市場分析157 7.3.1 薄膜澱積設備市場概述157 7.3.2 國外主要澱積設備160 7.3.3 國內主要澱積設備169 7.4 本章小結174 參考文獻175第8章 集成電路檢測設備177 8.1 檢測原理178 8.1.1 前道量檢測178 8.1.2 後道檢測188 8.2 國內外市場分析193 8.2.1 檢測設備市場分析193 8.2.2 國外檢測設備龍頭企業及其設備介紹195 8.2.3 國內檢測設備龍頭企業及其設備介紹211 8.3 本章小結212 參考文獻212第9章 化學機械拋光設備215 9.1 化學機械拋光設備原理215 9.2 化學機械拋光設備發展216 9.3 化學機械拋光設備與耗材市場分析217 9.3.1 CMP設備市場分析217 9.3.2 CMP耗材市場分析221 9.4 本章小結224 參考文獻224第10章 集成電路封裝設備226 10.1 封裝工藝流程226 10.2 封裝工藝發展229 10.3 國內外市場分析233 10.3.1 半導體芯片封裝設備市場分析233 10.3.2 國外封裝設備龍頭企業及其設備介紹235 10.3.3 國內封裝設備龍頭企業及其設備介紹246 10.4 本章小結248 參考文獻248後記251 4.6.1 國外相關設備概述81 4.6.2 國內光刻市場概述86 4.7 本章小結87 參考文獻88第5章 刻蝕設備92 5.1 原理介紹92 5.1.1 濕法刻蝕原理93 5.1.2 干法刻蝕原理95 5.2 刻蝕設備97 5.2.1 干法刻蝕設備原理97 5.2.2 干法刻蝕設備發展102 5.3 國內外市場分析106 5.3.1 刻蝕設備市場概述106 5.3.2 國外刻蝕設備市場分析107 5.3.3 國內刻蝕設備市場分析112 5.4 本章小結117 參考文獻117第6章 離子注入機120 6.1 離子注入相關原理120 6.2 離子注入設備結構123 6.3 國內外市場分析131 6.3.1 離子注入設備市場概述131 6.3.2 國外相關設備概述132 6.3.3 國內相關設備概述134 6.4 本章小結135 參考文獻135第7章 薄膜澱積設備138 7.1 原理介紹138 7.1.1 物理氣相澱積139 7.1.2 化學氣相澱積144 7.2 設備發展153 7.2.1 物理氣相澱積設備153 7.2.2 化學氣相澱積設備154 7.3 國內外市場分析155 7.3.1 薄膜澱積設備市場概述155 7.3.2 國外主要澱積設備157 7.3.3 國內主要澱積設備167 7.4 本章小結172 參考文獻173第8章 集成電路檢測設備175 8.1 檢測原理176 8.1.1 前道量檢測176 8.1.2 後道檢測186 8.2 國內外市場分析191 8.2.1 檢測設備市場分析191 8.2.2 國外檢測設備龍頭企業及其設備介紹193 8.2.3 國內檢測設備龍頭企業及其設備介紹209 8.3 本章小結210 參考文獻210第9章 化學機械拋光設備213 9.1 化學機械拋光設備原理213 9.2 化學機械拋光設備發展214 9.3 化學機械拋光設備與耗材市場分析215 9.3.1 CMP設備市場分析215 9.3.2 CMP耗材市場分析219 9.4 本章小結222 參考文獻222第10章 集成電路封裝設備224 10.1 封裝工藝流程224 10.2 封裝工藝發展227 10.3 國內外市場分析231 10.3.1 半導體芯片封裝設備市場分析231 10.3.2 國外封裝設備龍頭企業及其設備介紹233 10.3.3 國內封裝設備龍頭企業及其設備介紹244 10.4 本章小結246 參考文獻246後記248第4章 光刻及光刻設備72 4.1 光刻原理72 4.2 光刻耗材75 4.2.1 光刻膠75 4.2.2 顯影液76 4.2.3 掩模版76 4.3 光刻機分類77 4.4 光刻機原理78 4.5 光刻機演變史80 4.5.1 國外光刻機發展史80 4.5.2 中國光刻機發展史82 4.6 光刻市場現狀83 4.6.1 國外相關設備概述84 4.6.2 國內光刻市場概述89 4.7 本章小結90 參考文獻91第5章 刻蝕設備95 5.1 原理介紹95 5.1.1 濕法刻蝕原理96 5.1.2 干法刻蝕原理98 5.2 刻蝕設備100 5.2.1 干法刻蝕設備原理100 5.2.2 干法刻蝕設備發展105 5.3 國內外市場分析109 5.3.1 刻蝕設備市場概述109 5.3.2 國外刻蝕設備市場分析110 5.3.3 國內刻蝕設備市場分析115 5.4 本章小結120 參考文獻120第6章 離子注入機123 6.1 離子注入相關原理123 6.2 離子注入設備結構126 6.3 國內外市場分析134 6.3.1 離子注入設備市場概述134 6.3.2 國外相關設備概述135 6.3.3 國內相關設備概述137 6.4 本章小結138 參考文獻138第7章 薄膜澱積設備141 7.1 原理介紹141 7.1.1 物理氣相澱積142 7.1.2 化學氣相澱積147 7.2 設備發展156 7.2.1 物理氣相澱積設備156 7.2.2 化學氣相澱積設備157 7.3 國內外市場分析158 7.3.1 薄膜澱積設備市場概述158 7.3.2 國外主要澱積設備160 7.3.3 國內主要澱積設備170 7.4 本章小結175 參考文獻176第8章 集成電路檢測設備178 8.1 檢測原理179 8.1.1 前道量檢測179 8.1.2 後道檢測189 8.2 國內外市場分析194 8.2.1 檢測設備市場分析194 8.2.2 國外檢測設備龍頭企業及其設備介紹196 8.2.3 國內檢測設備龍頭企業及其設備介紹212 8.3 本章小結213 參考文獻213第9章 化學機械拋光設備216 9.1 化學機械拋光設備原理216 9.2 化學機械拋光設備發展217 9.3 化學機械拋光設備與耗材市場分析218 9.3.1 CMP設備市場分析218 9.3.2 CMP耗材市場分析222 9.4 本章小結225 參考文獻225第10章 集成電路封裝設備227 10.1 封裝工藝流程227 10.2 封裝工藝發展230 10.3 國內外市場分析234 10.3.1 半導體芯片封裝設備市場分析234 10.3.2 國外檢測設備龍頭企業及其設備介紹236 10.3.3 國內檢測設備龍頭企業及其設備介紹247 10.4 本章小結249 參考文獻249第11章 總結252
