第1章 緒論
1.1 垂直腔面發射激光器的研究意義
1.2 垂直腔面發射激光器的研究進展
參考文獻
第2章 半導體器件
2.1 能帶
2.1.1 半導體材料
2.1.2 基本晶體結構
2.1.3 共價鍵與能帶
2.2 熱平衡載流子濃度
2.2.1 本征載流子濃度
2.2.2 施主與受主
2.3 載流子的輸運現像
2.3.1 載流子的漂移與擴散
2.3.2 滿足半導體器件的基本方程
2.4 半導體器件的基本結構
2.4.1 p-n結
2.4.2 發光二極管
2.5 半導體激光器
2.5.1 半導體激光器的原理
2.5.2 典型半導體激光器的分類
參考文獻
第3章 垂直腔面發射激光器的基礎理論
3.1 垂直腔面發射激光器簡介
3.1.1 垂直腔面發射激光器的結構
3.1.2 垂直腔面發射激光器的主要特點
3.1.3 陣列
3.2 徼腔基礎理論
3.2.1 微腔中的自發輻射
3.2.2 法布裡珀羅諧振腔
3.2.3 反射鏡
3.3 自發輻射的計算
3.3.1 基於光子態密度計算自發輻射
3.3.2 基於費米黃金定律計算自發輻射
3.4 微腔的工作原理
3.4.1 對光限制的三維光子晶體結構
3.4.2 介質圓柱體的發射模式
3.4.3 三維介質柱
參考文獻
第4章 垂直腔面發射激光器的設計、外延、制備與測試
4.1 垂直腔面發射激光器的設計理論
4.1.1 速率方程及光電特性分析
4.1.2 模式增益、鏡面反射、有效腔體結構
4.1.3 邊界效應
4.1.4 垂直腔面發射激光器的設計
4.2 垂直腔面發射激光器的外延
4.2.1 外延技術
4.2.2 外延工藝的關鍵因素
4.3 垂直腔面發射激光器的制備
4.3.1 制備垂直腔面發射激光器的關鍵工藝