量子理論是研究半導體激光器中：①體半導體、
量子阱、量子線、量子點等增益介質的電子能譜結構
，及其②電子與輻射光場的相互作用，包括光的產生
、吸收、放大和散射等涉及不同能帶之間、能帶以內
不同子帶或各種晶格缺陷和雜質能級之間的光躍遷和
非光躍遷、帶內散射和弛豫等決定半導體激光器涉及
光電性能的重要量子行為。其中①和②分別用單電子
近似理論和半經典理論處理。任務是研究對半導體激
光器的激射閾值、激光功率、調制速率、器件結構和
激光波段等的設計都有根本意義的激光材料光增益譜
結構和激光量子效率等。郭長志編著的《半導體激光
器能帶結構和光增益的量子理論(下半導體激光器設
計理論)(精)》論述既重基礎又涉前沿，既重物理概
念又重推導編程演算，最後對全量子理論也有簡要的
介紹。
本書適合有關專業的研究人員和教師、研究生、
大學高年級本科生、作為專業課本、參考書或自修提
高的讀物。

總序
第2章 半導體能帶之間的躍遷
2.3 光躍遷的量子力學
2.3.3 連續能態在能級躍遷中的作用
2.3.4 帶內弛豫及其譜線展寬
2.3.5 量子阱結構的帶間光躍遷譜
2.3.6 光躍遷動量矩陣元的計算
2.3.7 間接帶隙半導體的帶間光躍遷
2.3.8 與雜質有關的光躍遷一無七選擇定則
2.3.9 能帶的非拋物性及其影響
2.3.10 多體相互作用的能帶隙重整化
2.3.11 量子阱中的能帶混合效應及其影響
2.3.12 大應變對增益的影響
2.3.13 應變程度的極限
2.3.14 量子阱微分增益及其作用
2.3.15 折射率(勢壘)漸變分別限制量子阱的增益
2.3.16 量子阱激光器的激射閾值
2.4 溫度對閾值的影響——％問題
2.4.1 總論
2.4.2 俄歇復合過程的量子理論
2.4.3 價帶間光吸收過程
2.4.4 溫度對光增益譜的影響
2.4.5 數值結果與討論.
第3章 半導體帶內能態之間的躍遷和量子光學
3.1 量子阱中的子帶間光躍遷
3.1.1 子帶間光吸收
3.1.2 子帶間光發射
3.1.3 QCL能譜和波函數設計
3.2 量子阱中電子子帶能級的壽命時間
3.2.1 決定能級壽命的散射過程
3.2.2 量子阱結構中載流子的非平衡收集過程
3.3 輻射的全量子理論和半經典理論的極限
3.3.1 輻射及其波粒二重性
3.3.2 輻射場的量子化
3.3.3 輻射的吸收和發射
3.3.4 相干函數
3.3.5 相干態
3.3.6 半經典理論和量子電動力學
3.3.7 量子力學的基本公設、表像與圖像
附錄A 數值計算分析的編程
A-1 函數值的計算分析和二維繪圖
A-2 方程求解、函數計算和繪圖
A-3 三維繪圖
附錄B 基本物理常數的數值和單位量綱
索引