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晶體生長手冊(第5冊晶體生長模型及缺陷表征影印版)/Springer手冊精選繫列
該商品所屬分類:自然科學 -> 晶體學
【市場價】
688-996
【優惠價】
430-623
【介質】 book
【ISBN】9787560338705
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內容介紹



  • 出版社:哈爾濱工業大學
  • ISBN:9787560338705
  • 作者:(美)德哈納拉
  • 頁數:367
  • 出版日期:2013-01-01
  • 印刷日期:2013-01-01
  • 包裝:平裝
  • 開本:16開
  • 版次:1
  • 印次:1
  • 德哈納拉等著的《晶體生長手冊(第5冊晶體生長模型及缺陷表征影印版)》針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為完成這一任務,編者們精選了50多位**科學家、學者和工程師,他們的合作者來自於22個不同**。這些作者根據他們的專業所長,編寫了關於晶體生長和缺陷形成共計52章內容:從熔體、溶液到氣相體材料生長;外延生長;生長工藝和缺陷的模型;缺陷特性的技術以及一些現代的特別課題。
  • 《晶體生長手冊(第5冊晶體生長模型及缺陷表征影印版)》針對目前備 受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是 使讀者了解經常使用的生長工藝、材料生產和缺陷產生的基本知識。為完 成這一任務,編者們精選了50多位頂尖科學家、學者和工程師,他們的合 作者來自於22個不同國家。這些作者根據他們的專業所長,編寫了關於晶 體生長和缺陷形成共計52章內容:從熔體、溶液到氣相體材料生長;外延 生長;生長工藝和缺陷的模型;缺陷特性的技術以及一些現代的特別課題 。 德哈納拉等著的《晶體生長手冊(第5冊晶體生長模型及缺陷表征影印 版)》分為七部分。Pan A介紹基礎理論:生長和表征技術綜述,表面成核 工藝,溶液生長晶體的形態,生長過程中成核的層錯,缺陷形成的形態。 Part B介紹體材料晶體的熔體生長,一種生長大尺寸晶體的關鍵方法 。這一部分闡述了直拉單晶工藝、泡生法、布裡茲曼法、浮區熔融等工藝 ,以及這些方法的最新進展。例如應用磁場的晶體生長、生長軸的取向、 增加底基和形狀控制。本部分涉及材料從硅和Ⅲ一V族化合物到氧化物和氟 化物的廣泛內容。
  • 縮略語
    PartF 晶體生長及缺陷模型
    36 熔體生長晶體體材料的傳導和控制
    36.1 運輸過程的物理定律
    36.2 熔體的流動結構
    36.3 外力對流動的控制
    36.4 前景
    參考文獻

    37 Ⅲ族氮化物的氣相生長
    37.1 Ⅲ族氮化物的氣相生長概述
    37.2 AIN/GaN氣相澱積的數學模型
    37.3 氣相澱積AIN/GaN的表征
    37.4 GaN的IVPE生長模型——個案研究
    37.5 氣相GaN/AIN膜生長的表面形成
    37.6 結語
    參考文獻

    38 生長直拉硅晶體中連續尺寸量子缺陷動力學
    38.1 微缺陷的發現
    38.2 無雜質時的缺陷動力學
    38.3 有氧時的直拉缺陷動力學
    38.4 有氮時的直拉缺陷動力學
    38.5 直拉硅單晶中空位的橫向合並
    38.6 結論
    參考文獻

    39 熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型
    39.1 綜述
    39.2 晶體生長過程
    39.3 半導體材料的位錯分布
    39.4 位錯產生的模型
    39.5 晶體的金剛石結構
    39.6 半導體的變形特性
    39.7 Haasen模型對晶體生長的應用
    39.8 替代模式
    39.9 模型概述和數值實現
    39.1 0數值結果
    39.1 1總結
    參考文獻

    40 BS和EFG繫統中的質量和熱量傳輸
    40.1 雜質分布的基預測模型——垂直BS繫統
    40.2 雜質分布的基預測模型-EFG繫統
    參考文獻

    PartG 缺陷表征及技術
    41晶體層結構的X射線衍射表征
    41.1 X射線衍射
    41.2 層結構的基本直接X射線衍射分析
    41.3 設備和理論思考
    41.4 從低到高的復雜性分析實例
    41.5 快速分析
    41.6 薄膜微映射
    41.7 展望
    參考文獻

    42 晶體缺陷表征的X射線形貌技術
    42.1 X射線形貌的基本原則
    42.2 X射線形貌技術的發展歷史
    42.3 X射線形貌技術和幾何學
    42.4 X射線形貌技術理論背景
    42.5 X射線形貌上缺陷的對比原理
    42.6 X射線形貌上的缺陷分析
    42.7 目前的應用狀況和發展
    參考文獻

    43 半導體的缺陷選擇性刻蝕
    43.1 半導體的濕法刻蝕:機制
    43.2 半導體的濕法刻蝕:結構和缺陷趨
    43.3 缺陷選擇性刻蝕方法
    參考文獻

    44 晶體的透射電子顯微鏡表征
    44.1 缺陷的TEM表征的理論基礎
    44.2 半導體繫統TEM應用的典型實例
    44.3 結語:目前的應用狀況和發展
    參考文獻

    45 點缺陷的電子自旋共振表征
    45.1 電子自旋共振
    45.2 EPR分析
    45.3 ERP技術範圍
    45.4 輔助儀器和支持技術
    45.5 總結與*終思考
    參考文獻

    46 半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征
    46.1 正電子湮沒光譜
    46.2 點缺陷的識別及其電荷狀態
    46.3 缺陷、摻雜和電子補償
    46.4 點缺陷和生長條件
    46.5 總結
    參考文獻
 
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