蘇向英著的《低維過渡金屬硫屬化合物的電子性
質及調控》是作者近年來在對低維過渡金屬硫屬化合
物材料的有關研究的基礎上撰寫而成的，繫統地介紹
了低維過渡金屬硫屬化合物的電子性質及調控。全書
共分8章，前兩章介紹了二維材料（特別是二維過渡
金屬硫屬化合物）的研究背景及理論方法，第3章介
紹了二維過渡金屬硫屬化合物納米膜的電子性質及應
力對其電子性質的調控，第4～6章介紹了二維過渡金
屬硫屬化合物自組裝雜化結構的性質，第7～8章研究
了襯底對過渡金屬硫屬化合物的影響。
本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考，
也可作為高等院校相關專業的本科生和研究生的參考
書。

第1章 緒論
1.1 Free Standing的二維材料
1.1.1 石墨烯簡介
1.1.2 氮化硼（BN）的研究
1.1.3 二維硫屬化合物的分類及結構
1.1.4 其他二維材料
1.2 二維硫屬化合物材料的制備及應用
1.2.1 二維硫屬化合物納米材料的制備
1.2.2 二維硫屬化合物納米材料的應用
1.3 二維過渡金屬硫屬化合物性質的實驗研究
1.3.1 力學性質
1.3.2 光學性質
1.4 二維過渡金屬硫屬化合的性原理計算
1.4.1 電子結構
1.4.2 聲子結構
1.4.3 磁性特征
1.4.4 外加應力和電場的作用
1.4.5 合金（Alloys）材料
1.4.6 異質結構和復合材料
1.4.7 界面特性
1.5 尋找新的二維材料
參考文獻
第2章 理論方法和計算軟件
2.1 密度泛函理論
2.1.1 *熱近似
2.1.2 Hartree-Fock近似
2.1.3 Thomas-Fermi-Dirac理論
2.1.4 Hohenberg-Kohn定理
2.1.5 自洽Kohn-Sham方程
2.1.6 交換關聯泛函
2.2 計算軟件簡介
參考文獻
第3章 應力對二維過渡金屬硫屬化合物納米膜電子結構的影響
3.1 引言
3.2 平面雙軸應力對多層MX2的影響
3.2.1 計算方法和模型
3.2.2 結果和討論
3.3 垂直壓應力對多層MX2的影響
3.3.1 計算方法和模型
3.3.2 結果和討論
3.4 本章小結
參考文獻
第4章 過渡金屬硫屬化合物異質結的電子性質及調控
4.1 引言
4.2 計算模型和方法
4.2.1 計算模型
4.2.2 計算方法
4.3 平衡狀態下異質結的電子結構
4.3.1 優幾何結構
4.3.2 電子結構
4.4 面內雙軸應力對異質結電子結構的調控
4.5 法向壓應力對異質結電子結構的調控
4.6 本章小結
參考文獻
第5章 過渡金屬硫屬化合物納米膜晶格量子阱特性研究
5.1 引言
5.2 計算模型和方法
5.2.1 計算模型
5.2.2 計算方法
5.3 晶格的優結構及穩定性
5.3.1 晶格的優結構
5.3.2 晶格的穩定性
5.4 量子阱的形成及其電子結構特征
5.4.1 量子阱的形成
5.4.2 MoS2/WSe2量子阱的能帶結構特征
5.4.3 界面間的電荷轉移情況
5.5 應力對量子阱的影響
5.6 2MoS2/2WSe2量子阱特性
5.7 本章小結
參考文獻
第6章 MoS2基面內晶格的電子性質及調控
6.1 引言
6.2 計算模型和方法
6.2.1 計算模型
6.2.2 計算方法
6.3 面內晶格的結構穩定性
6.4 面內晶格的電子性質
6.5 面內雙軸應力對晶格電子性質的調控
6.6 本章小結
參考文獻
第7章 SiO2襯底對單層MoS2電子性質的影響
7.1 引言
7.2 計算模型和方法
7.2.1 計算模型
7.2.2 計算方法
7.3 MoS2/SiO2結構的穩定性
7.4 MoS2/SiO2的電子結構
7.5 本章小結
參考文獻
第8章 LiNbO3襯底對單層和雙層MoSe2電子性質的影響
8.1 引言
8.2 計算模型和方法
8.2.1 計算模型
8.2.2 計算方法
8.3 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3結構的穩定性
8.4 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3的電子結構
8.5 本章小結
參考文獻